ballast resistance是什么？

limenglm

如图所示。
我的理解是，栅极GGNMOS的栅上接一个电阻。

另，方法2：减小沟道长度的下限是"hot-eletron degration of the output driver"
怎么理解？会有什么后果。

jian1712

回复 1# limenglm

在esd cell layout中，我们通常是增大drain contact to gate spacing, 其实就是增大了drain端的电阻，同时增大了drain端diffusion的面积，所以这个drain端的电阻就叫ballast resistance


拙见而已，欢迎指正，谢谢。

allen_tang

同意斑竹，ballast resistance应该就是所谓的镇流电阻，增大DCG。
另外，lz书的书名？

limenglm

回复 2# jian1712

版主正解，如下图。

后面还说由于silicided technology，GGNMOS的作用已大不如前。
但我们基本上还是这种结构，只是在ESD保护管那里加了SAB（silicide 阻挡层）。

limenglm

回复 3# allen_tang


        《Basic ESD and IO Design_Intel_ok.pdf》
有点大，上传不了，论坛上也有。

allen_tang

回复 5# limenglm


    谢谢，呵呵.

shiyang800

不错 ，看看

MicroEpzc

谢谢

李幕白

谢谢！学习。