pmos and nmos

yangics · 发表于 2012-10-16 19:45:15

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各位大俠，pmos source接GND，nmos source接VDD，這樣的電路從工藝角度來看是否有問題，尤其是90nm以后？

wolffshen · 发表于 2012-10-19 10:21:44

回复 1# yangics

电路有分析清楚吗？普通MOS的S/D是对称的，当然这种接法在ESD这块也确实是有的

yangics · 发表于 2012-10-22 12:07:35

回复 2# wolffshen

schmitt也有這種結構。我只是想了解，從工藝角度來看，這樣的電路有沒有什么風險

legend03u8z · 发表于 2012-10-27 23:15:32

回复 3# yangics

有headroom?

djbobo · 发表于 2012-10-29 08:18:12

回复 1# yangics

器件是对称的，source/drain是相对的。

djbobo · 发表于 2012-10-29 08:19:51

回复 3# yangics

最重要的就是相对电压，只要几个极的相对电压在Vmax以内，就没有问题。

yangics · 发表于 2012-10-29 17:04:31

回复 4# legend03u8z

什么是headroom？

yangics · 发表于 2012-10-29 17:07:06

回复 6# djbobo

這里的Vmax是指限定mos擊穿的limit嗎？如果是的話，應該Vds=VDD-GND=VDD<Vmax，那么工藝上有問題嗎？如果沒問題，為什么foundry會有如此要求？

djbobo · 发表于 2012-10-30 04:50:31

回复 8# yangics

Vmax一般定义为器件可以正常工作的最高供电电压，一般指Vgs或者Vds之间的最大电压。

djbobo · 发表于 2012-10-30 04:55:16

回复 7# yangics

他也许想说的是gate overdrive，是指Vgov=Vgs-Vth。

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