低功耗bandgap求教(<1uA)

MOSBJT · 发表于 2012-10-23 15:21:29

回复 4# TianBian365

用倒宽长比的管子做，效果怎么样？

MOSBJT · 发表于 2012-10-23 15:34:54

回复 7# amodaman

看到你说流片过功耗1uA以下的BANDGAP,是管子设在倒宽长下的类型吗？还是亚阈值的基准？

andy2000a · 发表于 2012-10-24 15:28:47

請問 current mirror 低到 0.1ua c會如何?
bandgap  如果用 OPA + 2 bjt diode 串電阻方式, 至少要幾串
op_Amp 3  + 2 diode 串電阻方式 => 1ua 表示 ,
opa 電流 < 0.5ua
2 個 diode current < 0.5ua , 但是一般 bjt multi 可能是 1:8 .
bipolar diode current =0.25ua ,
0.25u/8 => 會多小

我們碰過低電流下MOS CURRENT MIRROR 會讓CHIP
動作不良,  量產後會有 ~8% yield loss .

這些都是 simulation 看不到也不是 main die 看到,
會發現某一批 wafer 出問題 , 但是因為 WAT 完全看不出問題.

steve_guo_1997 · 发表于 2012-10-24 20:15:54

回复 13# andy2000a
这是我觉得比较有价值的提问。

不幸的是，我的目标也是要做量产，可惜之前毫无这等经验。
所以不得不提前考虑这些在量产中可能碰到的这样那样的问题。
所以在前面的提问中，希望知道是在何种工艺下的问题，其实是想引出是否经过量产验证的回答。
可惜的是，没有看到我想要的答案。

steve_guo_1997 · 发表于 2012-10-24 20:16:56

回复 10# vdslafe

电路上不会比VDSL AFE麻烦的

semico_ljj · 发表于 2012-10-24 21:49:39

实现精准的高电阻也是难点！
比如

semico_ljj · 发表于 2012-10-24 21:50:52

实现几M乃至几十M级别的Res也是困难的，面积上也不容许！

semico_ljj · 发表于 2012-10-24 21:52:17

有量产，但是精度不是很高！

griffinseu · 发表于 2012-10-25 15:40:31

学习，学习。

TianBian365 · 发表于 2012-10-26 13:47:12

回复 14# steve_guo_1997

回复 4# TianBian365

1. 有没有具体流片测试过，仿真结果和测试结果是否相近，在哪种工艺节点下实现？

A:流片过，仿真测试几乎一致。0.6um的bcd工艺。

2. 靠近高温区域是否会有问题？ leakage有无影响？

A: 没有问题，(leakage<10nA)，希望你对leakage有自己的表述，别张嘴就来，却抓不住要点。
leakage确实会随温度变化，但和W/L 以及VDS很相关，请看器件物理详解。

3. OS偏差如何？是否符合foundry mismatch参数？

A： OS跟匹配尺寸和环路增益相关，我就不多说了。。。

PS. 自己提出的问题，搞得自己跟专业一样。。。希望你去掉你的浮躁。。。不可能我把设计直接贴给你，只能提供你设计的思路。。
鄙人流片一次成功率较高，也没有你这般气场。。。

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