后端布局power ring strap金属层选择

cxj2010 · 发表于 2012-10-18 14:15:24

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请教各位大大。
在ICC布局布线中，设计中只有四层金属，在建立power ring 和strap时候，该如何选择合适的金属层？还有，ring width 和strap width该填多大合适？

xueyao_z · 发表于 2012-10-18 14:32:21

width 当然越宽越好影响IR drop 当同时routing resource 也会相应的减少。
so trend off .
求大神指点

cxj2010 · 发表于 2012-10-18 15:14:50

回复 2# xueyao_z

金属层的选择呢？

xueyao_z · 发表于 2012-10-18 15:38:20

回复 3# cxj2010

这个我也不是很清楚静等大神回答吧

xjg@hmes · 发表于 2012-10-18 15:51:46

即便是告诉你经验值，
你也得描述一下您的CHIP Size？CORE size？有无Memory和其他Analog IP？process及foundary？等等因素才能预估啊

cxj2010 · 发表于 2012-10-18 16:11:43

回复 5# xjg@hmes

用的是smic 0.18 的工艺，有用到了两个SRAM的IP，core面积为1548*1547，core到边上的距离都为30

xjg@hmes · 发表于 2012-10-18 16:38:39

如果配线资源充足，P/G Ring可以尽量宽，用M3和M4，宽度20~30um
strap可以用5um 左右，pitch200um

cxj2010 · 发表于 2012-10-18 16:45:46

回复 7# xjg@hmes

谢谢！
为什么这么设置呢？有什么经验的吗？

还有，strap用哪些金属呢？

edayz · 发表于 2012-10-18 16:47:34

应该使用M1、M2

cxj2010 · 发表于 2012-10-18 16:49:13

回复 7# xjg@hmes

有这种说法， ring一般用低层次金属层，strap用高层次金属层，M1不做strap，是这样吗？

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