在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
楼主: ohoh

弱问:为什么BJT的速度要比MOSFET的快?

[复制链接]
发表于 2012-10-17 22:23:11 | 显示全部楼层



如果明白截至频率是由什么决定的,恐怕看法就会不太一样。。。理解不错的话,电流密度应该是其中一个器件关键参数-----面积呢,只有在总电流一定的情况下才是,-->>实际上还是电流密度。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-10-18 21:49:44 | 显示全部楼层
帖子不错
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-10-19 09:21:57 | 显示全部楼层
回复 61# ygchen2


    呵呵,你说的很对,除了导电面积外,必须指出载流子浓度往往差很多。但是从另一方面讲,在复杂的模型都可以看成电阻电容模型,频率就与电阻电容相关;现在的很多定义都是为了理论分析和更方便的计算,但是对器件的理解完全可以跳出这些框框。从某些角度讲,bjt与mos管的结构、导电原理非常相似,一个没有阻止空穴进入基区去吸引电子进入沟道,另一个是在沟道外吸引电子,附对于bit和mos管结构的相似性,北京大学微电子教授黄如曾隐约提到过这点。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-10-19 11:29:53 | 显示全部楼层


   
回复  ygchen2


    呵呵,你说的很对,除了导电面积外,必须指出载流子浓度往往差很多。但是从另一方 ...
sgcseu 发表于 2012-10-19 09:21



能不能分享一下你所理解的电容电阻模型?或者是什么人提到过都无所谓,只要能有助于正确理解问题即可。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2012-10-19 13:03:51 | 显示全部楼层
回复 64# ygchen2


    电阻电容模型其实很简单啊,就是理解的时候无非是吧沟道看成一个可控电阻,寄生电容的存在产生了频率特性,就是思考问题的时候保持这么个概念就好了,电流密度只是电压加到电阻上的结果。刚才可能没有表达清楚,这个与后面说的bjt与mos管的相似性没有特别的关系。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2014-1-10 11:17:46 | 显示全部楼层
开关速度MOS比BJT快很多吧?
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2014-1-10 12:01:58 | 显示全部楼层
坛子里的典型回答方式就是:因为太阳是圆的,所以地球绕着太阳转。我也受益匪浅啊。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2014-1-10 15:54:01 | 显示全部楼层
比较MOS管和BJT的跨导
MOS管 gm=2I/Vdsat=I/VDsat/2
BJT的跨导可以理解为PN结
I=I0e^Vpn/VT
I对Vpn求微分得到等效 gm=I/VT
比较VDsat/2与VT大小,VT一般为26mV,而VDSAT一般为0.1V~0.2V,可以看出BJT等效跨导大于MOS管,因此驱动能力相对较强
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2014-1-10 16:24:44 | 显示全部楼层
主要从fT上考虑的  ft=gm/Cin  BJT gm大cin小,自然速度更快一些。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2020-12-14 21:48:45 | 显示全部楼层
BJT base 窄并且多为纵向的体内结构是主因吧
MOS 是表面结构
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-13 06:57 , Processed in 0.021055 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表