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楼主: xjqxjq28007

[讨论] 模拟IC应届生都这么牛,我想到了崩溃

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发表于 2012-9-20 13:18:21 | 显示全部楼层
真是太厉害了,再看看自己,真是惭愧啊,差距不是一点半点啊!
不要和别人攀比,做好自己就是了,只是以后会更加努力!
发表于 2012-9-20 13:25:10 | 显示全部楼层
加油!!!!!
发表于 2012-9-20 17:35:55 | 显示全部楼层
向楼主学习,努力奋斗。
发表于 2012-9-20 18:35:51 | 显示全部楼层
看完这片文章,就像跟着作者也参加了一场一场惊心动魄的面试,甚是激动,可以想象那种场景,当然,也感到自愧不如,并且是差距甚远,同样我也是做模拟的,这篇文章给了我很好的参考,和努力的方向,好的,向大牛学习了
发表于 2012-9-20 23:51:41 | 显示全部楼层
惭愧啊
发表于 2012-10-3 10:02:42 | 显示全部楼层
看完楼主的这篇文章时,有点羡慕嫉妒恨。呵呵,楼主在模拟IC设计方面简直(语言表达能力有限,省略若干字,你们懂的)。。。同时,又感动很高兴,高兴的是有楼主这样的IC人才,何愁中国的IC设计水平挤入世界顶尖水平?
发表于 2012-10-4 09:40:04 | 显示全部楼层
楼主很牛,鉴定完毕
发表于 2012-10-4 12:11:07 | 显示全部楼层
回复 46# corball


   说的不错,而且如果用在做偏置,使用同样的电阻,在IR电流中不会看到电阻温度系数的影响,如果用于精密基准电压,高阶补偿又是必不可少的。如果设计不错,使用同样温度系数的电阻,电阻温度系数在bandgap reference所产生的VREF中是不会出现的!不管你是用电流模式还是电压模式去做。
发表于 2012-10-4 12:15:56 | 显示全部楼层
回复 47# xjqxjq28007


   其它几个都是相关因素,温度系数却恰好没有关系。
发表于 2012-10-4 12:21:13 | 显示全部楼层
mark下
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