多晶硅层与有源区位置探讨

jian1712 · 发表于 2012-9-4 13:36:21

1. 沟道区的poly上面不允许有contact，不管是高压还是低压，至少到现在没有看到过哪家design rule允许
2. 楼主用的这种mos管通常出现在大功率mos管中，这种器件叫华夫饼式，在《模拟电路版图艺术（中文版）》 434页有讲到,在大功率应用时,有如下特点:
   1）面积利用率高
   2）沟道长度和宽度LVS时候不能完全对上，所以和仿真会有偏差
   3）ESD和Latch-up效果较差
3. 你在图中贴出来的管子，构造是没有问题的，poly隔离开的两个区域就是source/drain，只是不明白，楼主为什么要这么做，为了减小drain端寄生电容么？
4. 对于这个管子layout时候按照常规mos的rule做

拙见而已,欢迎指正

allen_tang · 发表于 2012-9-4 21:42:03

回复 21# jian1712

(1)沟道区的poly上面不允许有contact，不管是高压还是低压，至少到现在没有看到过哪家design rule允许

对于一些制程而言，poly的宽度不是channel length，某一段poly下是fox-oxide或者STI隔离，在这样的poly上直接打contact一点问题都没有.

zhfxupt · 发表于 2014-10-14 09:48:40

有源区的MASK是用来形成STI区域的，场氧化层外的所有区域都是有源区。

dinggo · 发表于 2014-10-18 23:10:10

回复 3# elovu5256

正解。在玩KF?

451968344 · 发表于 2016-3-10 10:02:07

本帖最后由 451968344 于 2016-3-10 10:12 编辑

回复 10# elovu5256
源端不连续的，因为掺杂是在gate做完之后。相当于把外面的源切成不连续两端，生产一个新的mos

我有两个疑问：
,该结构为什么可以使漏区不和场氧接触?

6275849@qq.com · 发表于 2016-3-10 15:33:12

这样话LVS过不了，其实他是两个管子，环形是一个，伸出来的那一段也是一个管子（S、D接一起）

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