改进ring oscillator 的温度特性

gy83129698 · 发表于 2012-7-12 11:27:19

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那位牛人帮忙指点下我的ring oscillator的温度特性啊，在27°C时为要求1.28M，但在85°C时就变到1.05M，在-40°C时变到了1.45M，请问怎么能改进，以适应宽温度范围，要求稳定在1.28M，最好偏差不超过5%。

fhy420462303 · 发表于 2012-7-12 12:31:13

回复 1# gy83129698

这个问题比较复杂一时半会说不清！！

gy83129698 · 发表于 2012-7-12 12:34:50

回复 2# fhy420462303

好吧，不管咋样，还是谢谢你！

过路心客 · 发表于 2012-7-12 13:03:44

你是作IC吗，合理的架构设计是关键

gy83129698 · 发表于 2012-7-12 13:08:46

回复 4# 过路心客

是做IC，请问怎样能合理的构架呢？我是新手，求指导，我用的是最基本的3级环震，在加反相器整形。

hxrl · 发表于 2012-7-12 17:48:51

是恒流环振吗？主要是电流随温度变化导致的吧，搞一个与温度无关的电流源试试吧，不过实际情况是，即使温度没问题了，die to die的偏差还是很难避免，wafer trimming逃不掉的

gy83129698 · 发表于 2012-7-12 18:52:09

回复 6# hxrl

是最基本的环振，但我仿真时加了个理想的电流源，还是温度变化很大啊？是不是不是bandgap所影响的啊，还是环振后加了4级反相器做整形时反相器影响的？

semico_ljj · 发表于 2012-7-16 10:50:23

这个和Vth的变化有关！设计时还是需要triming的

ft1983 · 发表于 2012-7-31 14:04:51

x学习了

whp2203 · 发表于 2021-6-19 17:59:53

学习了

[求助] 改进ring oscillator 的温度特性