mos的耐压问题

staric · 发表于 2012-7-6 00:21:00

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请问在电路发现晶体管已经超过了最大耐压值好几V了，但是在测试中，施加比较高的电压，只是工作不正常，但是电路感觉没有损坏，
在这种状况下芯片可能发生了什么事情？

wjb158 · 发表于 2012-7-6 19:54:47

一、电击穿不会损坏MOS管的，热击穿才会的。
二、芯片内部是否有稳压电路，保护芯片内部的工作电压。
三、电路的寄生参数是MOS管的工作电压没有超出最高的电压。

我现在就想到这三条，至于原因你要自己找出哦！！！！

staric · 发表于 2012-7-7 00:09:17

回复 2# wjb158

后来检查电路，仿真中发现电压确实已经超过MOS的耐压值了，所以击穿估计是必然的，
可能就是你所说的电击穿，其实管子没有损坏，那电击穿后管子会怎么样？处于什么工作
状态？

leejiaxin · 发表于 2012-7-7 12:22:11

which software provider?

wjb158 · 发表于 2012-7-7 20:57:40

回复 3# staric

是源漏击穿啊？还是栅极击穿？
如果是源漏就是源漏短路（即电流上升的很快），使器件温度会上升，MOS管就毁了；但是时间很短，只会造成电击穿，那器件是没有问题的。
如果栅极击穿，那就是介质击穿，基本上也属于短路的状态，状态应该和上面的一样，但是比较少讨论这个击穿。

iamshan · 发表于 2012-7-9 12:02:43

一般的MOS中,源漏击穿,或者源漏跟衬底之间的junction breakdown 先发生. 这时,mos基本像根导线. 如果持续时间太长,器件将烧毁

iWeiguo · 发表于 2012-8-19 08:14:29

击穿不一定是破坏性的，如果相关热能可以安全耗散或是集成有替他保护措施。但是会影响长期可靠性。例如电可擦除器件靠各种击穿效应才能工作，但是会存在擦除次数和长期可靠性问题。

sicool · 发表于 2012-9-2 16:50:27

那要看你加多少V的呀，太高的话器件就烧掉了

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