关于如何对MOS管的VTH, gm，gmb，ro等参数进行DC扫描的方法

chipdesign · 发表于 2012-6-25 13:20:35

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本帖最后由 chipdesign 于 2012-6-25 14:24 编辑

之前看到http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=337050&rpid=6965543&ordertype=0&page=1#pid6965543
在询问如何仿真vth随温度的变化，所以把自己的一点经验写了出来，希望能帮助到部分未知者。

如果你有更好的想法，欢迎与我交流。
如果你觉得有用，请帮忙顶一顶。
谢谢

如何对晶体管参数进行DC扫描.pdf (43.95 KB, 下载次数: 4606 )

wufuwei · 发表于 2012-6-25 14:35:33

顶一下啦

wildgoat · 发表于 2012-6-25 15:15:04

先支持一下！

yuanfengseu · 发表于 2012-6-25 19:47:12

挺不错的,支持你~~

szyacj · 发表于 2012-6-25 20:51:53

支持原创！！！！！！

hi_china59 · 发表于 2012-6-26 09:11:52

not for Hspice, but Cadence

windknows · 发表于 2012-6-26 09:33:27

calculator 里面可以直接拿到管子的op参数吧，再做个参数扫描不就行了？

chipdesign · 发表于 2012-6-26 12:29:45

回复 7# windknows

不是不可以，只是参数扫描费时间。
比如你扫描从0到1的范围，精度为1%，就需run100次仿真。
如果再提高100倍精度，就要run10000次仿真。
所以参数扫描不如直接run dc仿真来得方便省时。

chipdesign · 发表于 2012-6-26 12:33:09

回复 6# hi_china59

HSPICE比ADE简单，要看哪个管子的参数只是一句话的问题。
ADE是图形化界面，这也是两家的不同之处，ADE需要较多设置。

weidianwj · 发表于 2012-6-26 13:30:41

支持原创！感谢楼主

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