如何由MOS管的IdVd和IdVg特性曲线得到衬底掺杂源漏掺杂等工艺参数

elovu5256 · 发表于 2012-6-4 17:03:06

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我现在有实测的单管转移输出曲线数据，想要得到衬底掺杂等工艺参数，请问有什么办法啊，
需要利用什么公式，要用什么软件啊？
希望大家多多指教。

chaikey000 · 发表于 2012-7-14 18:30:31

关注中

xlteam2 · 发表于 2012-9-2 00:04:41

very good

iamshan · 发表于 2012-9-4 01:14:50

回复 1# elovu5256
理论上可以得到，实际上不可能做到。

要想得到，需要满足以下条件，要知道做这个MOS的工艺流程，因为各种工艺流程如热过程都会影响掺杂分布。
而如果能得到process流程，里面已经有掺杂条件了。
所以，这就是一个悖论，不可能得到的。

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