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[求助] vco噪声问题

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发表于 2012-5-5 15:56:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大侠,请问怎样能降低一个电压偏置的vco的相位噪声啊,还有提高他的摆幅,小弟现在的相位噪声才到-120dBc/Hz,老师的要求是-130dBc/Hz,请高手指点
发表于 2012-5-6 23:05:33 | 显示全部楼层
增加偏置电流
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发表于 2012-5-7 11:15:42 | 显示全部楼层
看噪声总结,找到来源,从而找到解决方法,如增加LDO输出电压以增大摆幅和相位噪声,加大偏置电流,偏置上加RC滤波,优化LDO噪声性能等~~~
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 楼主| 发表于 2012-5-7 12:50:37 | 显示全部楼层
回复 3# kook309
我看了是NMOS的闪烁噪声最大,应该是把L调大吧,但是我用的是SMIC 0.13的库,L很不好调啊,还有库里面MOS 的number of fingers参数是什么意思啊?我师兄说是对w的乘积,但是我仿了一下好像不是啊,不知道是我仿得问题还是什么问题,很郁闷,可调节参数如图 11.bmp
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 楼主| 发表于 2012-5-7 22:07:35 | 显示全部楼层
自己顶一下,请高手指点啊
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发表于 2012-5-8 12:26:59 | 显示全部楼层
估计你电压偏置的vco振幅太大了,导致flicker noise混频加重;
限制一下振幅,flicker noise会改善——可能会恶化一点thermal noise——找一个平衡点吧;
1M频偏-130dBc的噪声并不容易,需要优化包括LDO在内的每个模块——我做过的还没有这么高要求的,惭愧~~~
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发表于 2012-5-8 12:30:49 | 显示全部楼层
还有一点,SMIC的noise model很不靠谱~~~我跟他们的model的人因为noise model有过联系,两三年前的事了。
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 楼主| 发表于 2012-5-8 16:49:05 | 显示全部楼层
回复 7# scpuke


    谢谢您的回答,还有我仿得差分电感的Q值在5G时为52,Q的半径为30u圈数为2圈都是最小值,是不是太大了啊,而且他的差分电感只有两端没有接地端,很奇怪啊
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发表于 2012-5-10 13:50:29 | 显示全部楼层
回复 8# 天行者郑

能仿出Q值50,估计哪里出错了吧~~~片上电感的Q值一般<15
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发表于 2012-5-10 18:09:53 | 显示全部楼层
要求有点高乐
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