ADC中电容类型的选择

miroc · 发表于 2012-4-27 21:17:10

不知你用的什么工艺，一般来说，mim的容值比PIP小，两者都是非极性电容，mim的寄生小。

seetoo · 发表于 2012-4-28 14:46:02

PIP是什么，不过要真是多晶硅的话，那容值岂不是很难控制，中间介质虽然可以用栅氧层来获得更高的单位电容，但是失配和寄生都会很大吧，

ericking0 · 发表于 2012-4-30 09:48:34

回复 12# seetoo

PIP的介质一般是氧化生长，而MIM直接介质厚度是由光刻决定的。前者的精度应该更高。

seetoo · 发表于 2012-5-2 14:06:45

回复 13# ericking0

MIM的氧化层厚度怎么回是光刻控制的，理论上应该都是CMP来控制的吧，CPM在局部的一致性应该还是不错的，至少比用栅氧的电容更不容易受到电压的影响。

fuyibin · 发表于 2012-5-3 02:30:04

本帖最后由 fuyibin 于 2012-5-3 04:23 编辑

回复 seetoo

PIP的介质一般是氧化生长，而MIM直接介质厚度是由光刻决定的。前者的精度应该更高。 ...
ericking0 发表于 2012-4-30 09:48

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PIP电容介质层是氧化生长的？又不是gate oxide，可以氧化生长。
poly是多晶，不是substrate 单晶，不确定多晶上能不能长氧化层
PIP应该是CVD做出来的

ydhb11 · 发表于 2012-5-3 19:35:21

标准差mcjmim_std 和mcjpip_std 是一样的，根据公式，同样面积下两个的匹配度应该是一样的，但mim的寄生电容应该要小些，不知道理解对不对。

piao · 发表于 2012-5-3 21:28:41

1, 建议查一下model file 中有关各项参数的描述
2, 建议跑一下后仿真

小飞侠111 · 发表于 2012-5-4 08:48:52

回复 16# ydhb11

问过用过这个工艺的人了，pip电容的精度还是可以的。

laundry · 发表于 2012-5-4 15:45:51

bootstrapbootstrapbootstrap

ericking0 · 发表于 2012-5-5 08:56:22

回复 15# fuyibin

我依稀记得原来用过的.6的工艺的PIP的介质大约400A左右，属于氧化和淀积均可的厚度，我也不记得是不是氧化的了，但是可以肯定的是不管进炉管还是走CVD，对厚度的精度的控制都是比MOM那样用光刻控制Metal之间的间距来控制介质厚度的方法精度来的高很多。

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