如何仿真高频下 MOS电容，谢谢

gaojun927 · 发表于 2012-4-24 17:04:28

我觉得你们考虑的方向偏了，这应该看model里是否支持高频低频不同的建模。如果模型不支持，用什么仿真方法都白搭。

archon1117 · 发表于 2012-4-24 22:36:20

回复 22# gaojun927

这位高人。。。。

你的这个思路，我还真没考虑过。。。。额额额

这个该如何判断呢？难道去查工艺库的manual嘛？？

我是个TSMC18的工艺，

manual里貌似没写这个啊，用的model就是工艺提供的nmoscap和pmoscap

gaojun927 · 发表于 2012-4-25 09:33:37

回复 23# archon1117

我手头没有书。但我印象中你给的这个电容曲线是mos电容的曲线，实际上我们平时用的是mos管电容，两个的特征是不同的。既然你是从半导体物理的书中找到这个问题的，那你可以看看是不是这样。mos电容就是 MOS结构，mos管电容有了源漏，所以提供反型层电荷的能力是不同的。从这个意义上说，两者是不同的器件。抛开模型不同的区别，即使两者是同一种器件，我的理解，ac仿不出的未必s参数能仿出，至少从spectre手册上看，它们的基本原理应该是同样的，只是表现方式不同，倒是tran和ac仿真应该有本质区别。而能否仿出来，要看模型是怎么建立的，模型对此有近似，仿真器就是无能为力的。而模型是怎么建立的，那只能看相应模型的paper了。