求教, 如果要写一份有关LDO的毕业论文, 有什么题目可考虑??

iamfaier · 发表于 2012-3-27 23:46:52

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小弟希望写一份"有建设性" 的论文, 不求高分

请高手指教

Johnson2011 · 发表于 2012-3-28 01:01:16

低压、低功耗。例如应用于1V以下的。

TianBian365 · 发表于 2012-3-28 09:41:31

加一条：当vin>2V vout=1.8V, 当vin<2.0V, vout与vin短路且vout不能小于1.65V。

wind2000sp3 · 发表于 2012-3-28 09:43:09

偏理论一点的话，可以研究一下多级放大结构下的频率补偿，高增益、高带宽。
偏工程一点的话，可以研究一下Die Size和输出电流能力之间的关系。

AndrewBLau · 发表于 2012-3-29 14:51:25

全片上的高psrr（高频处） LDO

iamfaier · 发表于 2012-3-29 18:49:35

回复 2# Johnson2011

为什么1V以下呢？是因为大部份的portable devices
用1V以下吗？

iamfaier · 发表于 2012-3-29 18:56:18

回复 3# TianBian365

这个题目，我不太明白哦....

iamfaier · 发表于 2012-3-29 19:28:48

回复 4# wind2000sp3

是否在一般情况下，多级放大结构下的频率补偿会比ESR和dominant pole的好？

Die Size vs 输出电流能力太困难了，没有足够资源给我做呢.....

wind2000sp3 · 发表于 2012-3-30 11:00:11

频率补偿会更难，但是性能会更好。2楼说的也没错，1V的LDO也是一个发展方向。

kau · 发表于 2012-3-31 17:17:18

低压降，高抑制比，低噪声LDO

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