功率MOSFET教程－转载

tebukn · 发表于 2012-3-1 20:33:30

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众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异，具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。

dmdxwy · 发表于 2012-3-2 13:55:29

回复 1# tebukn
可以介绍的详细点吗

bake_ql · 发表于 2012-3-3 10:35:42

够基础，建议初学者看看，收获比较大！

zhaojing198891 · 发表于 2012-3-13 13:40:06

还不错

r7rming · 发表于 2012-3-14 19:30:28

看看先谢谢

wufuwei · 发表于 2012-3-15 10:24:25

paper？

yulong1218 · 发表于 2012-3-15 10:32:42

现在有新的GaN HEMT器件，有没有人看到系统的资料？

henily · 发表于 2012-4-8 18:15:57

谢谢楼主分享！

依然and依然 · 发表于 2012-5-3 19:59:03

楼主，下载不下来，，，怎么办，，，很有用的

依然and依然 · 发表于 2012-5-3 20:06:26

回复 1# tebukn

可以不可以拜托你把第一部分发给我，，，我实在下载不下来，很多次都失败了，真的是有用诶，，，，拜托，拜托，，，邮箱是1024037564@qq.com,,,谢谢谢谢

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