请教poly电阻问题，请达人进来看看

yjie62 · 发表于 2012-2-23 12:50:06

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我有一些需要match的poly电阻，是不是做在nwell 上会更好。那我的dummy 电阻接什么电位？如果我还要在电阻体上覆盖一层metal 1 ，metal 1接什么电位？

jiesime · 发表于 2012-2-23 17:13:42

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这里你把POLY电阻放在NWELL上，nwell相当于你的衬底，你的衬底该怎么接就怎么接，至于你的dummy电阻还是应该接地。你在电阻上加一层金属，起场板作用，也应该接地电位。

yjie62 · 发表于 2012-2-23 18:43:07

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这里你把POLY电阻放在NWELL上，nwell相当于你的衬底，你的衬底该怎么接就怎么接，至于你的dummy电阻 ...
jiesime 发表于 2012-2-23 17:13

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那我也可以把nwell的电位接地吧

johnli330 · 发表于 2012-2-23 19:49:49

poly电阻放在nwell上，没有什么意义吧。只有P+ OD电阻放在NWELL中， nwell接VDD做 shielding.
如果要干净一点，放在衬底上，周围围ring接到VSS, 防止被周围电路干扰。以上是以P衬底接VSS的case来说的。不知道你的情况是怎么样的。

anamnesis · 发表于 2012-2-23 20:09:57

你需要的是match？还是精度？

huang.xiwei · 发表于 2012-2-23 23:25:34

NWELL接地很容易触发Latch up ，你那些match poly 电阻还是放在NWELL里，NWELL的电位与模块中的电源相接，但如果为了更好一点，可以单独从PAD那里引出来一跟电源线，POLY电阻上覆盖的metal 与衬底相连。

hao_0071 · 发表于 2012-3-2 09:03:40

不用的全接gnd。

2hen · 发表于 2012-3-15 17:05:53

回复 4# johnli330
同意这个看法，poly放nwell上没什么意义。

max_max · 发表于 2012-3-24 05:32:25

POLY电阻在阱内外对电阻本身没什么影响啊，只是如果当下面有slicide_BLOCK阻挡层做高阻的话阱内外的poly方块阻值是不同的，我记得hhnec.25的工艺方块差了30欧。

zhuyujun · 发表于 2012-4-5 17:23:32

回复 7# hao_0071

很好！

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