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[求助] 工作在不同电流密度下的三极管ΔVbe的偏差

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发表于 2012-2-9 15:47:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 kuxuanxinzai 于 2012-2-14 10:11 编辑

想请教一下各位大侠关于ΔVbe的问题。

在不同电流密度偏置下的三级管的ΔVbe应当是一个很准的PTAT电压值,不随工艺波动而波动(如果不考虑电流比例的适配,以及三级管发射级面积的适配)。但是我现在仿真的一个CMOS工艺中纵向PNP时,偏置电流用理想电流源,发现ΔVbe在SS与FF情况下相差1.2mV左右。这个值对于ΔVbe来说应当算是很大的了!

敢问各位仁兄,知道造成这个偏差的可能原因是什么不?或者说,具体是三级管中的那个参数引起的?

我之前开始怀疑是由于寄生纵向PNP的电流增益引起的,但是后来分析并不是,因为在这里只有电流增益的失配才会造成ΔVbe的误差。虽然CMOS工艺中PNP的电流增益很小,但是失配引起的误差并不是很多(定量计算在27摄氏度下,大概贡献10uV的量级)。

麻烦各位大侠指点一下.......不甚感激

.............................................分割线..........................................................................................................................

现在ΔVbe随工艺变化的原因已经确定,是nf参数的变化引起的。

在选择另外一个较好的bicmos工艺后,经过仿真,ΔVbe几乎随工艺角不变化。但是ΔVbe对温度的斜率确有明显的变化(即不是严格的PTAT)。在我的电路中,-50℃到100℃,ΔVbe的斜率会变化0.4%,而且其斜率是随温度增加而增加的。这个和理论计算值有一定偏差。0.4%的误差相对于ΔVbe来说,还是蛮大的。
敢问各位大侠有相关的资料分析这个东东的没有?

麻烦各位大侠指引一下...
发表于 2012-2-9 17:42:34 | 显示全部楼层
应该是NF这个参数引起的!
 楼主| 发表于 2012-2-10 18:01:55 | 显示全部楼层
回复 2# alfredchn


       大侠说的很对!经过查找模型中的nf,通过计算,发现和仿真的数据很吻合!

      另外请教一下大侠,从工艺角度来讲,哪些因素会引起nf的变化呢?为什么一般的教科书或者资料在谈论ΔVE的时候都没有提到这个呢?

不甚感激大侠的指点.......
发表于 2012-2-13 09:16:44 | 显示全部楼层
这个系数反应了Early效应的影响,你再查查资料和bsim3的manual手册看看吧
发表于 2012-2-13 10:22:13 | 显示全部楼层
学习,想知道原因
 楼主| 发表于 2012-2-13 10:24:33 | 显示全部楼层
回复 4# alfredchn


    我在坛子上下了一个BISIM3的模型文件,但是里面全都是将MOS的,并没有提到BIP的模型。我贴在附件中了,麻烦大侠看看是不是这个文件! Mosfet Modeling & BSIM3 User’s Guide.pdf (5.82 MB, 下载次数: 118 )
发表于 2012-2-14 15:42:28 | 显示全部楼层
1. PNP?
2. Give a ΔI? Is it a ΔIe or ΔIc?
3. from BJT formula Ic = vt exp(vbe-1), not Ie
4. Under different bias, beta is different
 楼主| 发表于 2012-2-15 10:30:32 | 显示全部楼层
回复 7# frontier


     的确,偏置电流的比例是有Ie决定的。因为CMOS中纵向的PND集电极必须接地。但是这个误差我分析过,不会造成这么大,对ΔVbe的非线性贡献也不大。
发表于 2012-2-15 10:47:42 | 显示全部楼层
回复 8# kuxuanxinzai


0.4% is not bigand model is not so accurate for this 0.4%
 楼主| 发表于 2012-2-15 10:59:43 | 显示全部楼层
回复 9# frontier


    那这样的话,在一些精确电路中的设计中,岂不是仿真没有意义了?比如之前JSSC上发表的一篇温度传感器,精度可以到0.1度,其对ΔVbe的要求要远高于0.4%
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