请问SDRAM里的precharge是什么意思？

bluefire · 发表于 2004-3-18 17:29:29

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具体是指什么？
谢谢

cdcll · 发表于 2004-3-19 09:41:43

SDRAM Precharge －这项指的是SDRAM的预充电
SDRAM的存储单元可以理解为一个电容。总是倾向于放电，因此必须有定时的刷新周期以避免数据丢失。刷新控制器决定刷新的时间间隔，刷新计数器保证每个单元都能被刷新。当然，这意味着SDRAM的部分周期必须分配给刷新操作而降低系统性能。SDRAM一般可以采用自动刷新或自刷新。自动刷新实现较为简单而自刷新功耗更小。
SDRAM通常比SRAM便宜，但使用起来会复杂些。

一声叹息 · 发表于 2004-3-19 09:49:24

由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将S-AMP中的数据回写，即使是没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压（即1/2电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。

bluefire · 发表于 2004-3-21 19:15:25

谢谢两位高人的回复！

笑含风 · 发表于 2004-9-21 21:12:51

下面引用由一声叹息在 2004/03/19 09:49am 发表的内容：
由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precha ...

大和尚，偶对你的佩服如滔滔江水....precharge的问题已经困扰我两年多了！！！高手高手