关于LDO调整管

李彬219 · 发表于 2011-12-21 21:33:29

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LDO调整管可以用NMOS管吗？对性能会有哪些影响呢？

zywxustren · 发表于 2011-12-25 03:18:41

本帖最后由 zywxustren 于 2011-12-25 03:36 编辑

回复 1# 李彬219

对于调整管的一般考虑两点:首先比较三极管和MOS管,由于三极管是流控器件,而MOS管是压控器件,比较而言MOS管结构的静态电流更低。其次,NMOS管工作时需一比输出电压高的驱动信号,而PMOS管则无此需求,特别在低输入电压时要产生一高的驱动电压变得较困难。因此,一般都采用PMOS管作为调整管。

对于已知的电源电压，双极型导通组件可提供最大的输出电流。
PNP优于NPN，因为PNP的基极可以与地连接，必要时使晶体管完全饱和。NPN的基极只能与尽可能高的电源电压连接，从而使最小压降限制到一个VBE压降。因此，NPN和达灵顿导通组件不能提供小于1V的压差。然而它们在需要宽带宽和抗容性负载干扰时非常有用（因为它们具有低输出阻抗ZOUT特性）。

PMOS和PNP晶体管可以快速达到饱和，从而能使导通晶体管电压损耗和功耗最小，从而允许用作低压差、低功耗稳压器。PMOS导通晶体管可以提供尽可能最低的电压降，大约等于RDS(ON)×IL。它允许达到最低的静态电流。

loopgain · 发表于 2011-12-25 10:01:06

可以用NMOS。
但是压差较大

ckseu · 发表于 2011-12-29 17:14:27

Charge Pump+ NMOS

Chilton · 发表于 2012-1-2 05:42:14

回复 1# 李彬219

Certainly. As somebody said, you need to use a charge pump to over drive the gate of the NMOS, typically, this over drive voltage needs to go beyond the absmax of your process, you need to use special tricks (both design and layout) to implement it. Special attention also needs to be paid in start-up/shutdown so your charge pump output/NMOS gate not to be EOS'd during these transients. It's easy said than done.