请问为什么电容的绝对值可以精确控制，而电阻却不能

baiyawen · 发表于 2011-11-14 11:52:29

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如题

iamshan · 发表于 2011-11-14 14:25:36

本帖最后由 iamshan 于 2011-12-10 23:56 编辑

因为在制造过程中,电容基本有两种,MIM and MOS, 而关系电容大小的参数就是面积和极板之间的距离,也就是氧化层厚度,而在制造过程中,氧化层厚度能控制得很好,基本在1A范围内,再者电容一般面积比较大,这样,process variation造成的影响相对于比较大的面积来说很小,总上,电容变化比较小.
而对于电阻来说,大多是两端的长条形,poly,silicon,metal电阻为主,当然每种里面都有很多小的类型. 电阻因为是长条形,宽度很小,procee variation造成的CD变化对电阻的影响也就比较大了.另外对于poly或者silicon电阻来说,由于implant的不均匀性,同一片wafer的不同位置implant情况不尽相同,这也会造成比较大的差异.能想到的基本是这两种因素.
FYI.
PS：对于poly来说，高温制程对其影响极大。

baiyawen · 发表于 2011-11-14 17:34:26

回复 2# iamshan

明白个大概了万分感谢

vichoo007 · 发表于 2011-11-23 17:06:15

学习了。

icfbicfb · 发表于 2011-11-24 22:30:21

回复 2# iamshan

太经典了，高手中的高手啊！！！！

koniee · 发表于 2011-11-28 21:34:00

楼上高手。。。

fuyibin · 发表于 2011-12-9 13:54:05

因为在制造过程中,电容基本有两种,MIM and MOS, 而关系电容大小的参数就是面积和极板之间的距离,也就是氧化 ...
iamshan 发表于 2011-11-14 14:25

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电容绝对值也是不准的，大概也有百分之十几的偏差，会稍微比电阻好一些
Si原子直径1.34 A，一般gate oxide偏差10%左右
MIM介质层没有gate oxide控制那么精确，是淀积上去的

iamshan · 发表于 2011-12-9 21:08:52

电容绝对值也是不准的，大概也有百分之十几的偏差，会稍微比电阻好一些
Si原子直径1.34 A，一般gate ...
fuyibin 发表于 2011-12-9 13:54

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不知道你是在哪家公司，Gate OX竟能做出那么大的误差来，反正我工作过的公司都做不出那么大的误差来。 MIM绝对值的误差虽然大，但是相对于它的厚度，百分比就很小了。

fuyibin · 发表于 2011-12-10 21:50:42

不知道你是在哪家公司，Gate OX竟能做出那么大的误差来，反正我工作过的公司都做不出那么大的误差来。 M ...
iamshan 发表于 2011-12-9 21:08

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tsmc给的,65nm工艺，gate ox 20A+/-2A
MIM 跑一下corner就知道了

446749608 · 发表于 2011-12-10 22:56:16

不错，学习了

[原创] 请问为什么电容的绝对值可以精确控制，而电阻却不能

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