关于高压DMOS工艺 mos驱动用的 levelshift资料

zouyufeng · 发表于 2011-10-17 16:55:29

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本帖最后由 zouyufeng 于 2011-10-19 09:17 编辑

如附件所示，在项目进度中我会实时更新的！

zouyufeng · 发表于 2011-10-17 16:56:44

应大家的需要，推荐一个比较好的论文，
如果有好的，可以参考的文献，大家一起上传哈
就在这个帖子下面，欢迎跟帖！

allentel · 发表于 2011-10-19 10:00:26

问一下，你有用过上面一篇文章中的level shifter么。那两个钳位二极管的瞬态导通电流有多大。可以正在钳住么。

rickyhuang · 发表于 2011-10-19 18:49:19

dddddddddddddddd

zlh95222 · 发表于 2011-10-22 19:03:05

持续关注中，谢谢楼住！

xiaowang@ucsb · 发表于 2011-10-23 10:22:40

多谢楼主

zying · 发表于 2011-10-24 15:54:05

Thanks

zouyufeng · 发表于 2011-10-25 09:30:19

本帖最后由 zouyufeng 于 2011-10-30 23:51 编辑

回复 3# allentel

确实比较大，我也正在考虑，串上一个大电阻看看！
经过我的仿真，使用CSMCBCD工艺，这个电压是可以钳住的，但是不可能很准确，看你工艺的实际耐压啦
标称5V耐压的，一般6V也不会出问题，至于电流，电阻完全可以控制，我现在300uA，我认为在速度和功耗间这是个很好的折中！

levelshift基本上解决了，现在的问题是同步整流的两个功率开关如何保证两相不交叠的问题，呵呵，这个大家可以在这个levelshift的基础上讨论一下，呵呵

zouyufeng · 发表于 2011-10-30 23:57:26

其实折中结构是一个专利，还有很多类似的专利，大家可以去查，有些后面还要接dV/dt滤波器的，这样就更完美了，抗干扰能力更强，但是引入了一定的延时~

另外跟大家说一下，资料只是参考，是提供一个思路，不要照搬，这个东西不同的工艺和项目要求要灵活的使用，如有问题和好的资料请随手添加

也许，有一天你也能从这里得到别人的帮助！
我个人不怎么上QQ，所以就不留了

有问题请在此贴回复，我会尽量作答，也会引出潜水的牛人来解决，呵呵
学无止境！

allentel · 发表于 2011-11-1 15:11:57

回复 8# zouyufeng

dead time的问题：可以通过检测Low Side DRV到GND，加入delay time T1，接回high side驱动；同时检测high side DRV到Phase，加入delay time T2，引入low side 驱动。通过控制delay time T1、T2以及level shifter的fall/rise time可以达到控制dead time。

[资料] 关于高压DMOS工艺 mos驱动用的 levelshift资料

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