防止天线效应时，layer jump为什么不往下层Metal跳线？

czjkk

防止天线效应的措施：layer jump, insert diode.
对于 layer jump,一般都是往上层金属跳线，如果下层有布线空间允许跳线时，也一般不会往下跳，为什么？

strivenbu

我记得论坛有人回答过啊，比如说一根L1+L2+L3长的METAL3，
如果往下跳L2，那么在制造METAL3的时候，虽然减小了L2，但是还有L1+L3（因为都连上L2）的长度
如果往上跳的话，制造METAL3的时候，因为L1和L3还是断开的，所以这个vio的长度就是L1或L3，效果更好。
不知道解释清楚了没

huang1986

回复 2# strivenbu


   天线效应是由于工艺制造过程中的电荷积累而形成的效应， 请问通过metal4 把metal3连起来与通过metal2把metal3连起来在电荷积累上有区别吗？对于这个问题我一直很不明白，请高手指点。

strivenbu

回复 3# huang1986


    有区别啊 用M2连的话，在制造M2的时候，没问题，但是 在制造M3的时候，有2段要通过M2积累电荷，也就是说效果只是减小了M2的那段。
而通过M4相连的话，制造M3的时候，只有一段（其实还是2段，但是2段分开了，没接在一起，所以可能vio的只是2段中最长的那段），然后制造M4的时候，M3的电荷早就放完了，就只剩下M4的那段，所以效果要好
我也不知道说的对不对，只是我的理解，还请大牛指正啊！

dqyang

貌似金属每层层刻蚀后是有个放电处理工序，4楼说的有道理

jidikuayue

回复 4# strivenbu


    所以对于跳到顶层了还是有天线效应的情况，往下跳层也是解决天线效应问题的一个方法。

icfbicfb

往下跳也许是个选项， 比如修top layer的天线，

一般是往上跳， 和半导体生产工艺的电荷积累机制有关系，

optihack

回复 4# strivenbu


   4楼就是正解， m3往m2 跳 那造m3的时候 还不是m3+m2的长度么， 积累的电荷一点也没减少这主要是制造顺序决定的～ m2先，

sages

恩，4楼讲得很对，我感觉也是与制造过程有关。因为在制造的时候，如果是向下跳的话，在制造M3的时候，虽然把中间那段打开了，但是由于M3的两段还是通过M2是连接在一起的，所以，M3还是会收集电荷。4楼这个说法还是很有道理的。
我另外的想法是，由于在制造工艺的时候是先敷一层绝缘层，在添加上掩膜，再敷上一层金属层，所以从这个角度来谈的话，向下跳线实际中就没办法实现，因为在敷金属层的时候是一块面积整个敷上去，只有被掩膜遮盖的地方留出了via的地方，这样的话如果M3就没法往M2跳，因为M3是直接就敷上一整层的。而想上M4跳可以的原因是因为，在敷M3的时候可以先添加掩膜将需要断开的部分断开，这样在敷上M3的时候就会出现断开的M3，而M4就可以把这两个via填充，形成向上跳线。

Langjityb

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