0.13工艺中3.3V的管子跟0.35工艺中的管子区别都有哪些？

qerqing · 发表于 2011-8-10 15:21:55

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如题

icdreamer · 发表于 2011-8-10 17:48:22

感觉区别大了，各种参数都不一样，也就是这个电压一样而已；
13下面的3.3V管子，栅氧比1.2V的厚耐压高吧。

semico_ljj · 发表于 2011-8-10 20:14:20

区别在匹配，噪声
驱动能力一样的，迁移率也差不多

lonerinuestc · 发表于 2011-8-10 20:59:46

回复 3# semico_ljj

能详细点么？谢谢

YZX408 · 发表于 2011-8-10 23:04:06

我觉得具体的区别还是得去看工艺库里的器件参数吧。Smic的.13工艺的N33，P33是厚栅管，比起该工艺下的N12，P12肯定是有区别了。N33与P33和.35的再相比，只有看了器件.lib文件才知道具体有什么差别了。

jamesccp · 发表于 2011-8-12 16:53:52

从物理机构上看，栅氧厚度差不多，但沟道的掺杂浓度有区别。
源漏的结深，LDD区域也有差别。
具体就表现为Vt ，噪声啊什么的不一样了。

semico_ljj · 发表于 2011-8-12 20:48:12

具体要看Hspice model

wweett9176 · 发表于 2011-8-13 11:32:26

回复 1# qerqing

栅氧厚度应该差不多。
区别的话，最直接的，L是不一样，相同的W/L下的Cgs 等电容是不同的，进而影响fT,还有Fmin吧。

纯白雾隐 · 发表于 2012-2-10 16:36:16

记号。。。。。

semico_ljj · 发表于 2012-2-10 23:04:17

bucuo...

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