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[原创] MLC/TLC NAND flash 40-bit 60-bit BCH ECC 逻辑设计

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发表于 2011-2-24 19:10:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本团队具有多年NAND flash controller设计研发经验,对于超多纠错bit ECC有成熟算法。
该算法特点,
1. 并行编码,并行度可配置
2. 并行译码,并行度可配置
3. 译码与纠错可同时进行
4. 根据纠错的延时要求,可选择使用1、2或3个伽罗华域乘法器的结构
5. 并行查找错误位置,并行度可配置
6. 数据块大小可选择512B/1024B
7. 算法优化皆有团队自行完成,无版权问题
对于有兴趣的公司或者个人可以提供免费咨询。
有意者请加QQ 1761935602
发表于 2011-2-25 10:33:48 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2011-2-25 22:37:34 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2011-3-17 20:20:36 | 显示全部楼层
回复 1# s_ki1001
按照Samsung和Hynix的road map,估计很快就要100bit ECC了。
发表于 2011-4-6 12:14:47 | 显示全部楼层
thanks very
发表于 2011-4-13 10:53:19 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2011-5-6 19:18:10 | 显示全部楼层
顶上!
 楼主| 发表于 2011-7-9 23:38:31 | 显示全部楼层
顶起,希望有需要的同学能看到,我们提供免费咨询
发表于 2011-7-21 21:45:19 | 显示全部楼层
你所说的可配置编解码,是指设计的电路在工作的时候可任意配置并行度吗?
还是指设计时并行度可配置,但实现的电路只有一种并行度?
 楼主| 发表于 2011-7-24 17:49:44 | 显示全部楼层
回复 9# xiaocanmeng


    是指后一种,我们有一种套完整的脚本,可以去任意配置并行度,并自动生成测试向量。
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