带隙中电阻的几个问题

favourite626

1.工艺文件中有类电阻是silicide resistors，例如silicide n+ diffusion resistance，还有类电阻是non-silicide resistors，例如non-silicide n+ diffusion resistance，这两种电阻有什么区别呢？
2.电阻的模型参数里的参数代表什么意思，例如
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//*                non-silicide HR poly resistance                 *
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model rhrpo resistor
//+VC1 = 5.41E-05 VC2 = -5.33E-05
+nonlinform=r coeffs = [5.41E-05  -5.33E-05]
//+JC1A = 9.43E-05 JC1B = -2.90E-09
//+JC2A = -2.82E-09 JC2B = -7.32E-14
+tc1 = -8.52E-04 tc2 = 1.98E-06 etch = -6E-09+ddw_rhrpo
+tnom = 25.0 rsh = 995+drsh_rhrpo
//+RINTC = 7.88 RINT0 = 3.96E-5 RINT1 = 0.00E+00
里面的tc1和tc2是否就是一阶和二阶温度系数呢？

favourite626

顶顶更健康

caichaobo

求解答

favourite626

没人知道吗

lifengyang

回复 1# favourite626


    没研究过啊

abab1394

Tc1 Tc2：

R(t) = R ×(1.0+TC1 × Dt+TC2 × Dt^2) 另VC1，VC2 ，是电压系数。这个在对应工艺的hspice model 可查。有时候也可能用别的参数如 PTC1等，具体看model里的等式。
diffusion resistor 是扩散电阻，一般不用，匹配差。一般用poly电阻。silicide 的电阻阻值较小。 non-的阻值较大。看需要选取。

lindychen

实际应用中，一般选用的是p+diff电阻，HR 电阻占用面积小，但工艺制成电阻变化大；poly电阻单位面积电阻小，占用面积大。

favourite626

回复 7# lindychen


    怎么和楼上的说的不一样呢，他的意思是p+diff电阻匹配差，一般不用

abab1394

特殊情况下，我见过用diffusion电阻的，在论文里见的，主要那个工艺poly是正温度系数，diffusion是负温度系数。

goodsilicon

1.工艺文件中有类电阻是silicide resistors，例如silicide n+ diffusion resistance，还有类电阻是non-sili ...
favourite626 发表于 2011-6-13 18:01

                               
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    用non-silicide p+ resistor.

价格便宜量又足，我们一直都用它！