IC的电源电压是根据什么确定的？

zhengsheng · 发表于 2011-4-26 19:41:53

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foundry提供的工艺是0.13um SiGe BJT工艺，电源电压是1.2V，由于电压太低，设计不方便，能不能给他提高点，比如1.5V？

一般BJT工艺的电源电压是根据什么确定的呢？

bigstarstar · 发表于 2011-4-26 23:53:44

据说可以加到1.2 x 2 = 2.4这么大

hezudao · 发表于 2011-4-27 03:17:32

回复 2# bigstarstar

transistor off的时候或许还能用用，正常工作最好不要超过1.2*Vdd

goodsilicon · 发表于 2011-4-27 08:58:07

foundry提供的工艺是0.13um SiGe BJT工艺，电源电压是1.2V，由于电压太低，设计不方便，能不能给他提高点， ...
zhengsheng 发表于 2011-4-26 19:41

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不能削足适履

xiongzhh · 发表于 2011-4-27 09:01:48

最好不要变，上下百分之十。

shikaicool · 发表于 2011-4-27 09:30:49

不能波动太大，必须在电压值附近变动

zhengsheng · 发表于 2011-4-27 21:41:57

回复 4# goodsilicon
如果把电源电压加大了点,那些会受到影响呢?

当然1.2V是最好的,可是这不是太小了,cascode结构工作范围会很小么.适当大点如1.4,1.5V不可以么?

从研发的角度来说,一般加到1.5应该不会有问题,但是从可靠性等方面考虑,会有什么不妥么?

zhengsheng · 发表于 2011-4-27 21:46:43

在MOS管中,gate的厚度决定了电源电压不能太大,否则击穿.
可是在BJT process中,如果在设计的时候,就保证BJT的BE or BC结不会击穿.在这个前提下,提高电源电压可以么? 提高电源电压的缺点在什么地方?

很感谢楼上的分享与讨论!

zhengsheng · 发表于 2011-4-27 21:48:24

在MOS管中,gate的厚度决定了电源电压不能太大,否则击穿.
可是在BJT process中,如果在设计的时候,就保证BJT的BE or BC结不会击穿.在这个前提下,提高电源电压可以么? 提高电源电压的缺点在什么地方?

很感谢楼上的分享与讨论!

goodsilicon · 发表于 2011-4-28 09:02:40

在MOS管中,gate的厚度决定了电源电压不能太大,否则击穿.
可是在BJT process中,如果在设计的时候,就保证BJT ...
zhengsheng 发表于 2011-4-27 21:48

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BJT应该问题不大，ask you foundry for exact value.

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