请教带隙基准工艺角仿真的问题

duck911 · 发表于 2010-8-21 04:10:04

電路結構影響最大，有放大器的一般較不受影響。

122013137 · 发表于 2010-8-25 14:00:09

如果电阻是理想值

raduga_in · 发表于 2010-8-25 14:11:35

thanks !

zsyz · 发表于 2011-2-25 13:35:28

学习了

whuchzhh · 发表于 2011-2-25 14:13:17

都不是理想的，VBE和电阻值都随corner变化的。尤其是电阻，相差20%左右是正常的

xmuly · 发表于 2011-3-20 10:53:07

回复 5# chaowei

你好，我想问下这个trim怎么做啊，有没有具体的教程，能不能发个，谢谢

寂寞的歌 · 发表于 2011-3-20 14:01:20

不知道lz所说的corner是指三极管还是电阻或者MOS管

sunyangmn · 发表于 2011-5-15 16:03:46

回复 4# steve_guo_1997

对！

kikilovexixi · 发表于 2011-5-15 17:59:38

感谢楼主，我的收获很大，以后希望还能有更多的好东西！

analoging · 发表于 2011-11-24 22:48:39

一般MOS的工艺角没有太大的影响，主要是BJT和电阻工艺角的影响大，不同工艺角下，基准电压相差可能有几十个毫伏。

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