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查看: 6205|回复: 6

[求助] 关于沟道调制效应

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发表于 2010-11-17 23:36:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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工作在饱和区的MOS才有沟道调制效应,但是我在做拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》的第3章课后习题第8题时感觉有问题,课后答案认为三极管区的MOS也有沟道调制效应,请高手解释是答案错了还是三极管区的MOS有沟道调制效应?答案截图如下:

                               
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英文答案



                               
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第8题的答案
1.jpg
2.jpg
发表于 2010-11-18 13:12:55 | 显示全部楼层
从作者的描述来看,主要是考虑了由三极管区向饱和区转换时的连贯性,但是,从书上看,对沟道调制效应的分析都是在器件工作在饱和区的基础上进行的。是否因为这里L只有0.5um,很容易发生沟道夹断,所以在三极管区和饱和区都考虑了沟道调制效应?
发表于 2010-11-18 13:31:30 | 显示全部楼层
学习了
 楼主| 发表于 2010-11-18 19:31:38 | 显示全部楼层
回复 2# hzcj


   不知道,但是从定义的角度和沟道调制效应产生的机理上来看,线性区是没有沟道调制效应的,所以不太明白。
发表于 2010-11-18 19:33:16 | 显示全部楼层
只要LAMDA在,自然就会有
 楼主| 发表于 2010-11-19 00:19:02 | 显示全部楼层
可我认为lamda只是一个系数,有了沟道调制效应后lamda才有意义,否则可以认为lamda不存在。
望高人指正!
发表于 2013-11-27 11:27:19 | 显示全部楼层
回复 6# cfyr

朋友,这个问题你现在理解了么?我现在也做到这里,感觉有点不太明白
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