关于沟道调制效应

cfyr · 发表于 2010-11-17 23:36:12

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工作在饱和区的MOS才有沟道调制效应，但是我在做拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》的第3章课后习题第8题时感觉有问题，课后答案认为三极管区的MOS也有沟道调制效应，请高手解释是答案错了还是三极管区的MOS有沟道调制效应？答案截图如下：

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第8题的答案

hzcj · 发表于 2010-11-18 13:12:55

从作者的描述来看，主要是考虑了由三极管区向饱和区转换时的连贯性，但是，从书上看，对沟道调制效应的分析都是在器件工作在饱和区的基础上进行的。是否因为这里L只有0.5um，很容易发生沟道夹断，所以在三极管区和饱和区都考虑了沟道调制效应？

chengjiao · 发表于 2010-11-18 13:31:30

学习了

cfyr · 发表于 2010-11-18 19:31:38

回复 2# hzcj

不知道，但是从定义的角度和沟道调制效应产生的机理上来看，线性区是没有沟道调制效应的，所以不太明白。

bluess · 发表于 2010-11-18 19:33:16

只要LAMDA在，自然就会有

cfyr · 发表于 2010-11-19 00:19:02

可我认为lamda只是一个系数，有了沟道调制效应后lamda才有意义，否则可以认为lamda不存在。
望高人指正！

王克柔 · 发表于 2013-11-27 11:27:19

回复 6# cfyr

朋友，这个问题你现在理解了么？我现在也做到这里，感觉有点不太明白

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