比较一下RC oscillator和Ring oscillator

ipmsn5 · 发表于 2010-7-22 16:12:07

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从原理来讲，这两个东东都是电流对RC充电从而得到一个频率，所以我觉得这个频率误差只和I R C有关系，所以我想他俩的频率误差应该相差无几的，

不知道对不对...

goodgoodgood · 发表于 2010-7-22 16:25:25

关键是相位噪声。。。

ipmsn5 · 发表于 2010-7-23 10:06:58

还没有关系到PNoise的程度，关键是输出频率误差偏移，因为PVT的误差，设计的OSC大约有20%的偏移

goodgoodgood · 发表于 2010-7-23 11:42:59

还没有关系到PNoise的程度，关键是输出频率误差偏移，因为PVT的误差，设计的OSC大约有20%的偏移
ipmsn5 发表于 2010-7-23 10:06

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很正常啊。。。。

duck911 · 发表于 2010-7-24 02:02:27

一般ring oscillator 是沒有r 的，或者可說它的r是mos，所以個人覺得ring oscillator 對電壓變動誤差更大。

sjxu007 · 发表于 2010-7-27 09:45:33

这两者的电压系数会截然不同，环振的电压系数的正负性会受到其结构的影响。

semico_ljj · 发表于 2011-7-17 11:01:06

nice...

shikaicool · 发表于 2011-9-19 10:48:40

THANKS

goodsilicon · 发表于 2011-9-19 11:33:29

这两者的电压系数会截然不同，环振的电压系数的正负性会受到其结构的影响。
sjxu007 发表于 2010-7-27 09:45

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有道理。。。。。

samuelyou · 发表于 2011-9-19 15:22:31

其实没有好不好，只有适合不适合，OSC逃不掉RC的工艺偏移，I则可以剔除，20%的偏差对于一般的模拟系统还是可以接受的。

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