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楼主: wwjghcy

关于NMOS和PMOS的噪声问题

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发表于 2010-5-27 22:16:05 | 显示全部楼层
就一句话,导电的是电子还是电流就决定了他们的1/f噪声的区别。你看1/f 噪声的原因是电子被.....俘获...
Pmos沟道中导电的是空穴啊 空穴哪里有那么容易被俘获啊??
所以噪声小。上面的那家伙扯太远了
发表于 2010-6-2 18:45:46 | 显示全部楼层
PMOS has less flicker since it's carrier is hole
发表于 2010-9-26 17:53:14 | 显示全部楼层
看看  !!!!!!!!
发表于 2010-9-26 18:27:39 | 显示全部楼层
回复 6# blackbird


    工艺中PMOS是埋在n阱中的
发表于 2010-10-25 10:15:54 | 显示全部楼层
PMOS噪声小 主要和工艺有关吧
发表于 2010-10-25 11:16:06 | 显示全部楼层
楼上各位解释的比较清楚, 原因就是pmos,nmos 导电沟道的形成位置不同造成的,
发表于 2010-10-25 12:06:04 | 显示全部楼层
路过路过
发表于 2010-10-25 13:22:52 | 显示全部楼层
空穴的传递也是通过电子的吧?
感觉掉电子(形成空穴?)不容易,额外俘获电子容易些吧
发表于 2010-10-27 22:11:09 | 显示全部楼层
不过不是有说这个一般是看不出来的
发表于 2011-4-5 21:40:24 | 显示全部楼层
PMOS埋沟的原因
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