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楼主: kuohsi

[求助] Cap-less 的LDO

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发表于 2010-1-27 21:11:20 | 显示全部楼层
kuohsi
我查看了一下,是特瑞士的芯片,型号:XC6501,你可以查一下,它的最大负载电流可达200mA,静态电流为13uA,至于片内电容多少就不知道了。
发表于 2010-1-28 10:32:37 | 显示全部楼层
是DC 負載最大200mA 吧
发表于 2010-1-31 18:24:03 | 显示全部楼层
有,一般对power要求不高的情况下
发表于 2010-2-1 20:29:16 | 显示全部楼层
可以加一个快回路进去,就是从输出直接couple一个电容到gate上面,不过要阻断前馈通路。
发表于 2010-7-21 14:59:55 | 显示全部楼层
最近也在考虑这个问题。
目前设计的芯片内需要一个LDO。不知capless是否实用,设计难度如何,稳定性如何?
发表于 2010-7-23 20:50:35 | 显示全部楼层
load transient不可能稳 肯定有spike
发表于 2010-8-10 00:20:02 | 显示全部楼层
学习了···
发表于 2010-8-10 18:31:27 | 显示全部楼层
1nS的瞬态响应是用陶瓷的输出电容来克服的,cap-less补的也就是10uS左右的瞬态响应。
发表于 2011-5-30 15:33:38 | 显示全部楼层
1.要看load transient
   輸出電壓降低多少?
2.internal cap Area多大?
发表于 2011-6-5 17:12:53 | 显示全部楼层
capless 对于瞬态响应肯定很差,一般文献给出的上升/下降沿都不小于100ns
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