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楼主: guang3000

[已解决]请教高手这个bandgap的启动问题,内附详图

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发表于 2009-7-15 10:47:09 | 显示全部楼层
想的不是很清楚,
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发表于 2009-12-6 18:56:55 | 显示全部楼层
图1和图3是真实芯片里面的电路,不过用上了chopper

通过大家的讨论我想到了一个可能性,就是当二极管低于阈值电压时,不是完全截至的,可以当做电阻很大负载的情况,
这就是说,有可能有低于阈值电压的简并点,并且运放的反馈被建立起来了,就是说运放的两端电压相等而且低于阈值电压
。这就是图3左边偏置电路的用意。

但问题又来了既然图3有这个问题,图1应该也有啊,但图1并没有用启动电路,迷惑啊!
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发表于 2009-12-6 22:07:34 | 显示全部楼层
都没有启动电路,都应该有。因为Op的电流源都没有被提供出来。一般情况下,电流源是由Bandgap提供的,但是bandgap的启动又会依靠Op是否能够正常工作,所以在电路最开始的时候,如果没有电流源是不行的。
第三个电路左下角的电路是用来保证电路启动后,帮助OP的直流工作点达到需要的要求用的。因为这个Op的CMRR不是Rail-to-Rail的,这个电路帮助电路在启动后瞬时间内让Op正常工作
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发表于 2009-12-7 01:35:13 | 显示全部楼层
完全同意wind2000sp3的观点,前面两个电路在公司里面根本通不过审核,无论你辩解的多精巧。

第三个电路的启动电路也许会耗费一点电流,在地功耗设计中是要改进的。最简单的办法就是把两个diode-connected的PMOS和NMOS都分别反接,上面的PMOS的沟道长度很小,宽度很宽,下面的NMOS的沟道场都很长,宽度很小,那么通过这个支路的漏电电流就足可以把整个电路带动起来了,而且耗费在启动上面的电流最多只有100pA。这个设计在大批量生产(上亿颗的出货量)的芯片中已经得到验证了,不过当初我做的时候老板还是不满意我冒这样的风险,不过还好,没有出现不启动的情况。
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发表于 2009-12-7 10:51:33 | 显示全部楼层
谈到启动问题的时候,首先应该区分好两种启动情况:
1.是需要跟随电源的爬升启动的
2.是电源已经ready,当使用Enable信号控制这个block的启动问题
不知楼主是1还是2??
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发表于 2009-12-7 14:17:48 | 显示全部楼层
对于上面的问题,Enable信号从哪里来?数字部分还没起来啊?从应用板上的电钮中来?

所以第二中启动的状况不是bandgap关注的情况。
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发表于 2009-12-7 15:17:35 | 显示全部楼层
在一些SOC设计中是会出现第二种情况的
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 楼主| 发表于 2009-12-7 15:56:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 guang3000 于 2011-5-8 19:33 编辑

谢谢大家的热情帮助和解答!!!



   
图一和图三的 VB 是同一个吗?



    启动电路已添加





   
hehe 其实每一个都需要启动成分在里面................... 图一其实也包含了启动成分在里面,至于启动电路的做法则是从偏置电压VB 处着手,你要设定好VB所能对 应启动电流的大小,从而可以省略掉看似没有启动电路的做法.... 所以说你Bias电路启动电路一定需要 添加,另外既是当 REF电路没有启动时,你的VB所能灌入BJT电流的大小是需要注意的. 另外图一的做法会引入一定的system offset...,所以Loop Gain需要... 图二是需要添加启动的,不加的话则很容易出问题... 图三就不说了



    谢谢,终于搞明白了,原来图1一开始运放的偏置电路建立得很快,于是便通过输出级的pmos向二级管流 过电流,或者说把输出点的电压拉高,从而启动bandgap。 ,这种做法的环路增益和PSRR是没图3的高,因为运放第二级输出点的阻抗被降低了。






   
都没有启动电路,都应该有。因为Op的电流源都没有被提供出来。一般情况下,电流源是由 Bandgap提供的,但是bandgap的启动又会依靠Op是否能够正常工作,所以在电路最开始的时候,如果没 有电流源是不行的。第三个电路左下角的电路是用来保证电路启动后,帮助OP的直流工作点达到需要的要求用的。因为这个 Op的CMRR不是Rail-to-Rail的,这个电路帮助电路在启动后瞬时间内让Op正常工作



    同意你的看法





   
完全同意wind2000sp3的观点,前面两个电路在公司里面根本通不过审核,无论你辩解的多精巧 。 第三个电路的启动电路也许会耗费一点电流,在地功耗设计中是要改进的。最简单的办法就是把两个 diode-connected的PMOS和NMOS都分别反接,上面的PMOS的沟道长度很小,宽度很宽,下面的NMOS的沟道 场都很长,宽度很小,那么通过这个支路的漏电电流就足可以把整个电路带动起来了,而且耗费在启动 上面的电流最多只有100pA。这个设计在大批量生产(上亿颗的出货量)的芯片中已经得到验证了,不过 当初我做的时候老板还是不满意我冒这样的风险,不过还好,没有出现不启动的情况。



    第一个电路应该还是能正常工作的,其实有个斩波的部分我没画出来,但相信影响不大





   
谈到启动问题的时候,首先应该区分好两种启动情况: 1.是需要跟随电源的爬升启动的 2.是电源已经ready,当使用Enable信号控制这个block的启动问题不知楼主是1还是2??



    第一个电路是跟随电源的爬升启动的,而第三个电路是ENABLE控制启动的,它的启动电路可以把电源ready后不启动的状态变为启动。对于第一个来说,如果电源ready后还不启动,就没法了。
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发表于 2009-12-13 15:08:30 | 显示全部楼层
为了防止2009这个号也像2008那个号一样变成“禁止访问”,还是应该参与一下论坛的谈论比较好。
回答会有信元吧?
观点与amazehe相同,不过看了好久这个电路,总想写下来
我认为:
设第二级输出为VO。电阻R1(左);R2(右上),R3(右下)。
整体来讲,V+是VT+(VO-VT)*R3/(R2+R3),作为反馈输入;V-是VT,作为参考。VO与V+反向,使输出稳定。电阻与BJT是温漂较小。
第一个的电路应该不存在启动问题,内置电流源是自启动的,VO直接反馈到V+。
第二个的电路存在启动问题,当VO小于VREF+VTmos时,射级输出器停止,输入V+的电压电流由VREF逆向提供,V+随温度的变化截止到VO,无法反馈回来,所以电路失效。
第三个的电路就是在射级输出器停止工作时,提供一个电流,强迫V-升高,使VO变大,从而射级输出器工作,电路进入正常状态,启动电路停止。
输出电压:[(V+)-(V-)]*gm=VO,带入的话可以算出输出电压。

本人新手,有错误敬请原谅。好多名词不认识,乍一看简并还以为是量子力学呢。。。
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发表于 2010-1-11 13:58:21 | 显示全部楼层
Thank you very much.
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