关于高精度振荡器的设计，请求高手释疑

maplefire · 发表于 2009-10-9 10:57:42

3# motocser

看要求吧，一般都有很大偏差，20~30%很正常，有加一些修调
当然有没有特殊做法不知道，没做过
guonanxiang 发表于 2009-10-8 16:56

登录/注册后可看大图

以前有同事做过，里面加了校准电路，出厂前要每片校准。

ylgw811002 · 发表于 2009-10-9 13:00:53

学习还是学习

w2x0j3 · 发表于 2009-10-9 15:29:23

最近搞调试，也是遇到了输出频率不稳定的麻烦！不好做！

impulse · 发表于 2009-10-9 20:51:44

1%也太夸张了！

motocser · 发表于 2009-10-10 09:01:45

本帖最后由 motocser 于 2009-10-10 09:05 编辑

单片机里面集成一个晶震是很正常的
呵呵
zhongbo1127 发表于 2009-10-9 00:47

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单片机芯片里面能把晶体集成进去吗？
我所知道的单片机的晶体振荡器是在芯片里面集成了电路部分，晶体和电容还是在单片机外的
这并不是一个完全嵌入式的振荡器，我说的内部振荡器是指那种不需要任何外接电路的振荡器

以前有听说过硅晶振能具有优良的精度，也不需要任何外接电路实现完全集成化，
但是不知道硅晶振是不是在普通的CMOS电路里能做，也不知道像430那种单片机是使用了硅晶振还是出厂调校，抑或其他特殊的方法，
至少我接触过的工艺里面，没见过硅晶振。。。

有哪位大哥知道什么思路能做出1%精度的内部振荡器吗？

shangyouqiang · 发表于 2009-10-10 10:23:35

我听说是封装内部搞了个LC震荡的。？？？

darkest · 发表于 2009-10-10 23:28:20

达到这个精度芯片生产出来后需要trimming的

tianruo · 发表于 2009-10-11 14:48:16

明显有反馈校准机制的嘛。

zjqmyron · 发表于 2009-10-24 12:28:20

本帖最后由 zjqmyron 于 2010-1-31 22:34 编辑

abbr_6c089377917d92cbe89607b4cc90b02b.pdf (1.03 MB, 下载次数: 570 ) 如此高精度的硅振荡器一般需要频率反馈和trim，还有低温漂的bandgap等等，电路结构相当复杂，不过前段时间从网上找到一个松下的资料，一个带温度补偿的迟缓振荡器，在没有bandgap的情况下设计了一个1%以内的11MHz片上振荡器，很厉害

Error · 发表于 2009-10-25 21:08:02

trim 或者有PLL DLL之类的猜的

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