New layout scheme to improve ESD robustness of IO buffers

jian1712 · 发表于 2009-10-14 18:03:33

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New layout scheme to improve ESD robustness of IO buffers in fully-silicided CMOS process(Ming-Dou Ker )

apteye · 发表于 2009-10-14 23:20:36

xiexie

colindeng · 发表于 2009-10-23 19:34:11

xie xie....

yyyy0702 · 发表于 2009-10-25 17:35:22

THAMKS

leeloo1023 · 发表于 2009-11-2 17:03:01

太好了，谢谢分享

wchpfish · 发表于 2009-12-17 10:35:31

很棒的paper
原來用layout就可以改善esd
多謝分享摟

cyz369 · 发表于 2010-1-16 23:12:25

谢谢楼主资料共享

fntlem · 发表于 2010-1-25 11:45:37

thanks

1712layout · 发表于 2010-4-22 09:03:46

了解一下

allenhua · 发表于 2010-4-22 09:05:58

谢谢，正好目前遇到ESD的问题

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