[求教]为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益

nemovon · 发表于 2008-11-26 10:02:22

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在一般的设计中，为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益呢，例如使过驱动电压为0.05V或更小，是不是有其他方面的考虑？

skyenew · 发表于 2008-11-26 10:28:26

原帖由 nemovon 于 2008-11-26 10:02 发表

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在一般的设计中，为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益呢，例如使过驱动电压为0.05V或更小，是不是有其他方面的考虑？

它确实可用在低功耗低频率电路中

behzad · 发表于 2008-11-26 11:09:42

工作在亚阈区，速度比较慢吧。

fenglingke · 发表于 2008-11-26 13:34:33

原帖由 nemovon 于 2008-11-26 10:02 发表

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在一般的设计中，为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益呢，例如使过驱动电压为0.05V或更小，是不是有其他方面的考虑？

个人理解，如果工作在弱反型区，如果工艺角变化大，有可能进入截止区。因此在学术上弱反型区有可能，在工程上弱反型区估计采用就要多考虑了

nemovon · 发表于 2008-11-26 14:23:28

论坛果然高手如云，谢谢赐教了

raultjf · 发表于 2008-11-26 15:49:19

应该有亚阈值的电路设计出来吧，如果标准工艺的话变化很大，他们是不是要采用特殊的工艺呢？

piao · 发表于 2008-11-26 21:56:01

现在已有应用

jianjing526 · 发表于 2008-11-26 22:10:53

亚阈值区电流电压关系不是完全的指数关系，又和截止区和饱和区靠近，很难保证，建模难度大

wangot · 发表于 2008-11-27 10:20:55

工艺稍微偏一点，估计就不能工作了，还是要留足余量把

hotraymanf · 发表于 2008-12-2 19:36:36

速度很差，噪声好高。
另外听某些有经验的设计师说太低的vdsatPVT也比较危险。

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