0.18 工艺的n18MOS管的漏源电压能大于3.3V吗

wddi_234 · 发表于 2009-12-11 23:30:55

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0.18 工艺的n18MOS管的漏源电压能大于3.3V吗。
n18MOS管的最大能承受的电压是多少

kdyldw · 发表于 2009-12-12 15:14:21

本帖最后由 kdyldw 于 2009-12-12 15:16 编辑

栅别击穿就行，漏源好像没事

wddi_234 · 发表于 2009-12-12 17:46:28

谢谢回答

pkf690801 · 发表于 2009-12-12 17:53:09

..............................

wddi_234 · 发表于 2009-12-12 20:52:00

楼上说的不对吗？

zl19851987 · 发表于 2009-12-18 22:53:13

二楼说的应该对吧

zhanweisu27 · 发表于 2009-12-19 13:10:40

当然不推荐,具体看工艺参数

看device check的报警

mickey1999 · 发表于 2009-12-21 13:51:49

看栅氧化层的厚度，如果栅氧化层厚容许电压高些。

littlej · 发表于 2009-12-21 15:17:47

Firstly, check GOI lifetime. GOI or TDDB would decide the maximum VDD.
Secondly, check HCI lifetime, which will be solved by enlarging gate length.

jianjing526 · 发表于 2009-12-21 19:44:21

不推荐，1.8v是foundry可以保证正常工作的电源电压，要是3.3v下silicon失效，没有人可以承担责任吧

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