MOS管Vth和L的关系？

碌碌

在问deep seek关于短沟道的问题时解答中提到：

• 绘制 Vth 随 L 变化的曲线。
  
• 如果曲线出现一个明显的“膝盖点”，在L小于某个值后Vth开始急剧下降，那么这个“膝盖点”对应的L就可以被认为是该工艺下的“短沟道”临界长度。
  

但是自己仿真（28nm）得到的曲线为：

                               
登录/注册后可看大图

（NMOS）L越小，Vth不是所说的急剧下降呀？是增大。

                               
登录/注册后可看大图

（PMOS）

https://bbs.eetop.cn/thread-299530-1-1.html[求助]关于MOS的栅长和阈值电压的关系，参考这篇文章提到：

在razavi中文版478页，VTH随L的减小而变小。

在EECS240 lecture中，随着L的增大，VTH是先上升，然后下降，其中有考虑到holo作用。

http://ee.mweda.com/ask/285823.html请问在同一个工艺中,MOS管的Vth和沟道长度L有什么关系呢，参考这里得到：
随着L减小，Vth先变大，再迅速变小。

感觉都很矛盾。也不知道我仿真出来的有没有问题，故贴出我仿真的电路图（其实就是gmid时采用的电路）：

                               
登录/注册后可看大图

                               
登录/注册后可看大图

求大家讨论解答，我的仿真曲线为什么是这样？是仿真错了还是因为什么效应？仿真出来Vth和L到底应该遵循什么规律？
感激不尽。