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[求助] 请教LDMOS的器件SUB和backgate

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发表于 昨天 17:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟在使用一个LDMOS器件时,看其剖面图有四个端子(图附后),想请教其中的backgate是什么作用。原理图中该器件有5个端子,个人感觉源极旁边的端子是剖面图中的backgate,栅极下面的端子不对应剖面图中画出的四个端子,应该是整个衬底,也就是剖面图中隔离环外的区域,与其他器件一同共用的衬底,不知道我分析的对不对。请大佬指教

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原理图

原理图
发表于 10 小时前 | 显示全部楼层
没座,backgate连的是N阱,这是东部工艺吧
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 楼主| 发表于 1 小时前 | 显示全部楼层


   
山上松 发表于 2025-9-26 11:52
没座,backgate连的是N阱,这是东部工艺吧


感谢您的回复,这确实是东部的工艺
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