tsmc65工艺下用gmid法设计五管OTA+CS中遇到的问题

maurox

小白最近在学gmid设计方法，看的b站某个up的教学视频，用smic180工艺试着搭建了一个五管OTA+CS的结构，挺准的。后面换成台积电65工艺如法炮制，跑dc仿真的时候遇到了两个问题。一是我给了一个2uA的参考电流源，但是跑直流id只有1.5uA。如果把其他管子屏蔽掉，有1.997uA，是寄生电容太大？之前用.18搭建过一样的电路，跑直流有2uA，不懂。第二个问题是补偿电容Cc，再使用1pF的Cc时，负载管M7会进入线性区，此时M8的Vds达到1V，但在去掉补偿电容后，M7可以进入饱和区，不懂是为什么？

chf1

薄栅氧下漏电比较严重尤其65GP，会出现比较大的镜像误差，但1.5u和2u误差属于太大了吧？建议把L增大一些。电容没遇到过，你这个是理想电容嘛？替换为实际电容看看呢？