关于SMIC 0.18um 模拟IO的选取

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      如题，最近我的课题对应的芯片马上要流片了，用的是SMIC 0.18um的n33/p33管子搭的模拟电路，想要使用SMIC自带的IO库，阅读完IO的databook和application note后，还是有一些问题想请教论坛内的各位前辈：
      1、如图一所示，在application note中的7.4.2.1节中提到，“PVDD3AP（或PVDD3CAP）用于为核心、预驱动器和后驱动器供电，相当于PVDD1AP+PVDD5AP。此外，PVDD5AP可以用PVDD4AP+PVDD2AP代替。”因此，在我的理解中，最理想的纯粹模拟域的IO组合是"PVDD3AP（或PVDD3CAP） + PVSS3AP（或PVSS3CAP） + [信号IO 1] + [信号IO 1] + ….."。

      2、随后，根据application note的表7.4.2.1，3AP和3CAP系列的区别在于：“>Core Voltage”是指连接到焊盘的端口电压高于核心电压。 “<=Core Voltage”是指连接到焊盘的端口电压等于或低于核心电压。我的核心电路供电为3.3V，焊盘供电为3.3V，那我选取3CAP作为我的供电模块。

      3、随后我查看了databook中的“Function Description of Analog I/O Cells”，在该表格中，CAP系列明确标注了只适用于1.8V供电，这与前文我通过阅读application note得出的结论并不相符。

      4、最后，根据第2点中的附表，3AP和3CAP系列对core的供电和对Pre driver、post driver的供电均为SAVDD，我查询了关于SAVDD的推荐电压，只在databook的表5中查找到关于VDD和VDD33的典型电压，其中VDD为1.8V，VDD33为3.3V。但根据第二点的附表，“Ports to core”中很多都是VDD，排除之后，发现PVDD1AP+PVDD5AP符合目前需求（CAP由于1.8V供电全部排除）。那么当使用双电源IO组合的情况下（PVDD1AP+PVDD5AP+PVSS1AP+PVSS5AP），那四个IO的连接方式又该如何处理呢，内部core的电源要接入哪个IO的接口，剩余的IO接口悬空或使用何种处理？

      5、在初步完成电源IO选择后，开始选择模拟信号IO，由于core的输入输出有高频信号（200MHz），也有直流偏置，因此需要选择高频IO，低频IO两种；同时由于想要利用IO的ESD保护内部core，因此选取PANA1CAP和PANA2CAP作为低频IO和高频IO的选择。关于信号IO，我目前有两个疑虑：（1）信号IO的Pre-driver supply、post-driver supply供电（表中所示）是否要和前文选取的VDD提供的Pre-driver supply、post-driver supply供电完全一致（均为SAVDD/SAVSS）？（2）PANA1CAP相比于PANA1AP，包含了对core的ESD保护，但这是否会影响高频信号的正常输入输出？

      最后，由于最近组内事务较多，没有对databook和application note进行精读，可能上文的内容存在一些错误，希望论坛内的诸位前辈可以多多指教。