【产品】TPS54J060RPGR BSB056N10NN3G NVH820S75L4SPC 6-Pack功率模块750V

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有关TPS54J060RPGR 4V 至 16V 输入、6A 同步降压转换器，900mV 基准电压，闭锁电流限制的详细介绍：

TPS54J060RPGR 器件是一款具有自适应导通时间 D-CAP3 控制模式的高效率、小尺寸同步降压转换器。此器件简单易用，具有较少的外部元件数量，适用于空间受限的电源系统。

TPS54J060RPGR不仅具有高性能的集成 MOSFET、精度为 ±1% 的 900mV 基准电压以及 -40°C 至 +125°C 的结温范围，还包括以下具有竞争力的特性：超低的外部元件数量、快速的负载瞬态响应、精确的负载调整和线路调整、以自动跳跃或 FCCM 模式运行、可调节的软启动控制，并且无需外部补偿即可支持所有陶瓷电容器设计。

核心特性
输入范围为 2.7V 至 16V 时，外部偏置范围为 3.3V 至 3.6V
输入范围为 4V 至 16V 时，无外部偏置
集成 MOSFET 支持 6A 持续输出电流
在 D-CAP3™ 控制模式下可提供快速负载阶跃响应
支持所有陶瓷输出电容器
基准电压为 900mV，±1% 容差（在 –40°C 至 +125°C 的结温范围内）
0.9V 至 5.5V 输出电压范围
自动跳跃 Eco-mode 可实现高轻负载效率
可编程电流限制（利用外部电阻器）
可选择频率设置（600kHz、1100kHz、2200kHz）
内部固定、外部可调软启动
安全预偏置启动功能
内置电路允许缓慢输出放电
开漏电源正常状态输出
在发生 OC、UV 和 OV 故障时进入闭锁模式
完全符合 RoHS 标准
2mm × 3mm，14 引脚 HotRod™ 封装，间距为 0.5mm

典型应用
• 服务器和云计算 POL
• 宽带、网络和光学模块
• 无线基础设施
• 工业 PC
• IP 网络摄像头


有关BSB056N10NN3G 功率MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON的产品详情：

BSB056N10NN3G 是 100 V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管，为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与次优技术相比，该系列的 RDS(on) 和 FOM（优点系数）均降低了 30%。

核心参数
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：3-WDSON

目标应用
同步整流
初级侧开关
高性能计算的电源管理
高功率密度负载点转换器

明佳达【大量供应】TPS54J060RPGR 6A 同步降压转换器、 BSB056N10NN3G功率MOSFET、 NVH820S75L4SPC 6-Pack功率模块750V
下面是NVH820S75L4SPC VE-Trac Direct – 单侧直接散热三相6-Pack功率模块的核心特性：
集成针鳍（Pin-fin）散热器的直接冷却
超低的杂散电感
连续工作Tj_max = 175°C
低VCEsat和开关损耗
经AQG324认证的FS4 750V窄台IGBT
高度集成的6-Pack拓扑

详情
NVH820S75L4SPC 属于VE-Trac™ Direct功率模块系列，高度集成，行业标准尺寸，适用于混动（HEV）汽车主驱逆变器应用。这款模块集成了六个6-Pack配置的第4代场截止（FS4）750V窄台IGBT。FS4 IGBT在更轻负载下展现出更低的功率损耗，有助于提升汽车应用的系统整体效率。新一代press-fit引脚集成至功率模块信号终端，便于组装，可靠性更佳。

应用场景
转换器直流电池输出，为AC主驱电机供电
大功率DC-DC转换器