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[原创] 有比上华CMSC更垃圾的BCD工艺吗?

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发表于 昨天 09:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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剖面图显示是全隔离的高压管,但是DRC文件里面高压PMOS不能衬底短接漏极,包括自衬底的pldmos也不行,单调一个pldmos版图也不能过drc。这么垃圾的工艺也敢出来卖
发表于 昨天 10:21 | 显示全部楼层
需要自我反思下,  你们公司为什么会选择你口中的垃圾工艺?  
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发表于 昨天 11:08 | 显示全部楼层
价格相对其他工艺便宜一些,不过确实不怎么好用。不过现成的管子不能过DRC,是不是你哪里搞错了。
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发表于 昨天 14:57 | 显示全部楼层
最恐怖的是有些规则距离根本不够,很容易漏电,他们家HVDUMMY包PTM这个规则就改大了好几次了
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发表于 昨天 14:58 | 显示全部楼层
需要你们这些踩坑小王子帮他们验证工艺
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 楼主| 发表于 昨天 17:47 | 显示全部楼层


   
onlyzjj 发表于 2025-8-21 11:08
价格相对其他工艺便宜一些,不过确实不怎么好用。不过现成的管子不能过DRC,是不是你哪里搞错了。
...


没有任何修改的管子,他的那个衬底短接源极的pldmos,DRC跟我说要衬底接到VDD,意思是他的所有pldmos的源极都要接到VDD吗
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 楼主| 发表于 昨天 17:48 | 显示全部楼层


   
ipex 发表于 2025-8-21 10:21
需要自我反思下,  你们公司为什么会选择你口中的垃圾工艺?


因为我司是个骗补公司
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发表于 昨天 18:09 | 显示全部楼层


   
牛牛子 发表于 2025-8-21 17:48
因为我司是个骗补公司


这就对了吗
你可以将的发现告诉你领导  让他做决定
你只是打工的,  难道要操卖白粉的心?
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