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gcj1999 · 发表于 2025-7-18 15:25:22

本帖最后由 gcj1999 于 2025-7-28 18:08 编辑

spartan313 · 发表于 2025-7-18 16:03:08

本帖最后由 spartan313 于 2025-7-18 16:04 编辑

vcm 是什么产生的，如果是片内LDO 产生，负载接一个大电容是正常的，我的理解是电容也是需要一直充电的，device本身会导致漏电，Q电荷在变少，从而VCM的幅度在变化；另外比较器每次做比较的时候，会有kickback ，你的 Vx/Vcm 也会收到影响；

理论值，只能做参考，实际电路的supply上的ripple, gnd上的bounce, 都会有影响的

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