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[原创] HVBN是NWELL么?

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发表于 2025-7-8 16:01:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏94资产已解决
上图的HVBN是下图中黄绿色的N Well么?(都是LDMOS的横截面图)。HVBN能接地么?

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hvbn不是nwell是埋层(一般叫nbl),至于你说的能不能接地要看具体情况,从器件结构看是可以接地的,但是能不能接地要看你的D端接了多少伏,D端和hvbn之间是有耐压的,如果hvbn 接地时和D端之间没有超过耐压那么hvbn就可以接地,反之就不能接地,而且如果hvbn接地了,基本也就失去了用这种器件的意义,器件正常使用时,因为hvbn接地,s和b也要接地,不然器件就是存在漏电。 ...
发表于 2025-7-8 16:01:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 843071455 于 2025-7-9 13:59 编辑

hvbn不是nwell是埋层(一般叫nbl),至于你说的能不能接地要看具体情况,从器件结构看是可以接地的,但是能不能接地要看你的D端接了多少伏,D端和hvbn之间是有耐压的,如果hvbn 接地时和D端之间没有超过耐压那么hvbn就可以接地,反之就不能接地,而且如果hvbn接地了,基本也就失去了用这种器件的意义,器件正常使用时,因为hvbn接地,s和b也要接地,不然器件就是存在漏电。

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发表于 2025-7-9 09:12:04 | 显示全部楼层
从图中看HVBN是SN注入因此不能接最低电位,如果接最低电位和PSUB冲突导致LVS会报错(我是版图新手纯个人见解还请指正
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发表于 2025-7-9 09:42:30 | 显示全部楼层
可以接地,一般BCD工艺使用隔离环时,最外两个都接地,内部每个模块也会用P_guardring包一圈接地,这样就相当于都处于0电位的PNP结构。
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发表于 2025-7-9 17:37:48 | 显示全部楼层
四楼说的对,hvbn一般推荐接一个正的电压,5V或3.3V之类的。
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发表于 2025-7-10 09:20:31 | 显示全部楼层
这两种不是层次不能完全等效,只能说在各自的mos中发挥的效果一样,都是隔离的作用。但是结构不一样,一般NBL(HVBN)这种是完全隔离,你下图那种Nwell一般叫做HVNW,这种并不是一种完全隔离的方式,这种工艺上某些器件特定情况会存在漏电的情况。至于能不能接地,要具体分析,一般HVBN接MOS最高电位。你接地的话考虑下是否存在某些导通就行。
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 楼主| 发表于 2025-7-10 11:32:57 | 显示全部楼层


   
843071455 发表于 2025-7-9 13:53
hvbn不是nwell是埋层(一般叫nbl),至于你说的能不能接地要看具体情况,从器件结构看是可以接地的,但是能 ...


D端到hvbn中间还隔着NDRF和IMP,D端到hvbn的耐压限制包含和NDRF和IMP之间的耐压?
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发表于 2025-7-10 12:42:54 | 显示全部楼层


   
typhoon222 发表于 2025-7-10 11:32
D端到hvbn中间还隔着NDRF和IMP,D端到hvbn的耐压限制包含和NDRF和IMP之间的耐压?
...


你的D端实际就是NDRF,之所以HVBN 可以接gnd 正是因为NDRF和HVBN之间存在IMP的原因,不然D端和HVBN就是同电位了,虽然HVBN和NDRF之间有IMP阻隔但是如果NDRF和HVBN之间压差比较大,这两个层次之间就会穿通,相当于NDRF和HVBN连接起来了。

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