提供国内130nm SOI 抗辐照芯片设计，流片，合作服务

a0000442 · 发表于 2025-7-6 17:36:46

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基于国内130nm PD-SOI 工艺，全套自有PDK，非加固标准单元库，加固标准单元库，MC

TID>300k
SEL > 75M
SEU > 37M
TEMP -55~+125
ESD > 2000V(HBM)
已完成多款宇航级抗辐照芯片设计及流片及测试。
如需进一步了解意向或有项目需求可直接联系。

a0000442 · 发表于 2025-7-6 18:13:01

wx:16582761487

tracy6969 · 发表于 2025-7-6 20:16:16

noted, thanks

student321 · 发表于 2025-7-6 21:03:45

have flash

cotonier · 发表于 2025-7-7 08:22:30

祝楼主和楼主公司成功！

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