MOS电容大小影响因素

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各位大佬：

我使用这个testbench对比两种工艺的容值差别，一个是GF SOI 22nm,另一个是TSMC 65nm,发现GF的容值比TSMC的小了很多

有两个问题：
1.GF的nmos容值比pmos容值小了很多，是什么原因？
2.GF的容值比TSMC的1/5,是因为SOI的原因吗？
3.如果在GF工艺上实现和T相同的容值，除了增大MOS尺寸的方法，应该怎么修改？容值大小还与哪些因素有关？

ICxer

一个是面积，另一个是栅氧厚度