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查看: 179|回复: 4

[求助] 什么情况下Nmos衬底可以接高电平

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发表于 9 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
如图,为什么可以这样接啊


                               
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发表于 7 小时前 | 显示全部楼层
将NMOS的P型body/bulk与psub隔离开,这个NMOS的B端就可以接不同于psub(接地)的电位了。

这种器件,就是隔离型器件/isolated device/iso……
发表于 5 小时前 | 显示全部楼层
你确定上面的管子是NMOS不是PMOS吗。。NMOS衬底接vdd没啥的,Source接Vdd的我没见过
发表于 5 小时前 | 显示全部楼层
使用Deep N-well即可独立NMOS body电位, 一般CMOS工艺应该都可以做到, 只是可能会需要额外Area或是Mask
发表于 1 小时前 | 显示全部楼层


tch56 发表于 2025-6-25 14:58
使用Deep N-well即可独立NMOS body电位, 一般CMOS工艺应该都可以做到, 只是可能会需要额外Area或是Mask ...


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