芯片衬底电位问题

ic小菜鸡、

有负压电路的芯片，有的芯片衬底（芯片背面）接的是GND，有的接的是VEE负电，这两种接法都可以吗？有什么区别？

acrofoxAgain

如果工艺中有外延或者DNW来实现独立的PWELL，可以这么接。否则只能接最低电位。

暖阳

楼上说的对，还有一种可能就是三阱工艺的话可以，其实归根结底就是不能让MOS寄生PN结正向导通，任何一个导通都会导致很大的漏电流且该漏电流没有任何收益，纯纯损耗